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ICP ALD(电感耦合原子层沉积设备)

ICP ALD(电感耦合原子层沉积设备)


ICP ALD(电感耦合原子层沉积设备)选取的是远程等离子的步骤,与CCP ALD相比,等离子不直接作用于衬底,拥有更和善的等离子能量,可能在提高反映活性的同时,不合衬底产生危险  。

详情介绍

加热温度:0-400℃
基片尺寸:4寸、6寸
等离子功率:0W-1000W

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